碳化硅（SiC）是性能優(yōu)異的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等優(yōu)點(diǎn)。
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